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  • 凌力尔特公司推出高压、低噪声、低压差电压线性稳压器 LT3050

    凌力尔特公司推出高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3050，该器件具精确、可编程电流限制和诊断功能。LT3050提供高达100mA 的输出电流，在满负载时具340mV 压差电压。LT3050 具2V 至45V 的宽输入电压范围，提供从 0.6V 至44.5V 的可调输出电压。在 REF/BYP 引脚处的单个电容器提供可编程低噪声工作 (在 10Hz 至100kHz 的宽带宽上噪声仅为 30uV

    发布时间：2009-09-15 09:45:39
  • linear推出36V 输入 (60V 瞬态)、1A、容错型降压稳压器 仅需75uA 静态电流

    加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2009 年 9 月 3 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出容错型 1A、36V 输入降压型开关稳压器 LT3695。其突发模式 (Burst Mode®) 工作在无负载备用状态保持静态电流低于 75uA。LT3695 在 3.6V 至 36V 的输入电压范围内工作，可安全地承

    发布时间：2009-09-04 09:46:56
  • 采用 3mm x 4mm QFN 封装的 3A、4MHz、同步降压型稳压器

    加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2009 年 9 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、4MHz 同步降压型稳压器 LTC3612，该器件采用恒定频率、电流模式架构。它采用 3mm x 4mm QFN 封装或耐热增强型 TSSOP-20 封装，在输出电压低至 0.6V 时可提供高达 3A 的连续输出电流。

    发布时间：2009-09-02 09:06:24
  • 采用 15mm x 15mm 表面贴装型封装的双路 4A 或单路 8A DC/DC uModule 稳压器

    加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2009 年 8 月 26 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款采用纤巧表面贴装型封装和内含电感器的完整双通道 DC/DC uModule® 稳压器系统 LTM4614。该系统能够调节两个输出电压在 0.8V至5V 范围 (各在高达 4A 的电流条件下) ，或通过对两个输出进

    发布时间：2009-08-26 16:10:24
  • Intersil推出业界首个低电压、高精度数字控制电位器

    Intersil，业界首个低电压，高精度数字控制，电位器 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出业界首款具有小于1%典型电阻容差的低电压DCP --- ISL22317。超低容差使ISL22317可以用作真正的可变电阻，使用户能够为开环应用设定标准或非标准电阻值。

    发布时间：2009-06-26 12:02:12
  • Ramtron推出32Kb器件扩展 F-RAM串口存储器产品线

    Ramtron，32Kb器件扩展，F-RAM串口存储器，产品线 世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速读/写性能、低电压运行，以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存储器，工作电压为2.7V至3.6V，采用8脚S

    发布时间：2009-06-24 09:49:56
  • Maxim推出低电压、降压调节器

    Maxim，低电压，降压调节器 Maxim推出内置升压开关的低电压、降压调节器MAX17083。该器件专为空间紧张的应用而设计，在微小的16mm² TQFN封装中集成了双路n沟道MOSFET功率开关。内部25mΩ、低边功率MOSFET能够提供高达5A的持续负载电流，在保证高效率的同时减少了元件数量。MAX17083无需外部肖特基二极管以及外部升压二极管，进一步节省了空间和成本。这款小型降

    发布时间：2009-06-23 10:27:31
  • Ramtron发布高功效512Kb和1Mb V系列串口F-RAM存储器

    Ramtron，高功效512Kb和1Mb，V系列串口F-RAM存储器 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品，这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。

    发布时间：2009-04-09 11:25:14
  • 德州仪器热插拔管理器可针对 3 V～20 V 的工作电压提供高灵活保护避免电流冲击造成损害

    德州仪器，热插拔管理器， 3 V～20 V 的工作电压，高灵活保护，避免电流冲击，损害 德州仪器 (TI) 于 2009 年应用电力电子技术国际会议 (APEC 2009) 上宣布推出三款新型热插拔管理器，可针对工作电压介于 3 V～20 V 的电压轨提供过电流保护，工作电流可达 5A。TPS2420 采用微型 16 引脚 QFN 封装，而 TPS2421-1 与 TPS2421-2 则采用 8

    发布时间：2009-02-21 10:04:14
  • 意法半导体（ST）最新MDmesh™ V功率MOSFET技术，在650V额定电压下取得最佳单位面积导通电阻、能效和功率密度

    意法半导体（ST），MDmesh™ V功率MOSFET技术，650V额定电压下，最佳单位面积导通电阻，能效，功率密度 功率半导体产品的全球领导者意法半导体宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效

    发布时间：2009-02-21 09:43:48
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