东芝推出双面冷却的用于电机控制和电源供应器的功率MOSFET
2017-06-30 17:37:04 来源：微电机世界网 作者：石云云（译）
【哔哥哔特导读】东芝美国电子元件有限公司扩大了其高效率的U-MOS IX-H MOSFET系列。
东芝美国电子元件有限公司扩大了其高效率的U-MOS IX-H MOSFET系列。新的60V TPW1R306PL是DSOP Advance表面贴装器件(SMD)封装中的N沟道器件，提供双面冷却。双面冷却提供的增强散热有助于减少器件数量并节省高元件密度的应用中的空间，包括：DC-DC转换器，AC-DC电源的二次侧电路和无绳家用电器中的电机驱动和电动工具。
TPW1R306PL具有超低的典型导通电阻(@VGS = 10V)，仅为0.95mΩ，尺寸非常小，为5x6mm。最大漏极电流和功耗分别为100A和170W。此外，TPW1R306PL的封装顶部热阻等级(Rth(ch-c)为0.88k / W)非常低。
东芝的U-MOS IX-H处理能够在RDS(ON)和输出电容/输出电荷之间实现卓越的性能折衷，使典型的QOSS仅为77.5nC(@ VDS = 30V，f = 1MHz)。这允许设计者通过提高开关速度和减少开关损耗来进一步提高系统性能和效率。
定价和可用性
TPW1R306PL现已上市。有关详细信息，样品和定价信息，请联系您当地的东芝销售办事处。
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